类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：95A
　　导通电阻 Rds(on)：9.5mΩ（最大值，@Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：84W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：LFPAK56（也称为 Power-SO8）

PSMN9R5-100PS MOSFET 具备多项高性能特性，使其成为高效功率转换应用的理想选择。
　　首先，该器件采用 Nexperia 的先进 Trench 工艺，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。其最大 Rds(on) 仅为 9.5mΩ，在高电流应用中能显著减少功率损耗。
　　其次，该 MOSFET 的额定漏极电流高达 95A，在高温环境下仍能保持稳定的性能。这使得它能够胜任高负载功率转换应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制器。
　　LFPAK56 封装设计提供了优异的热管理能力，确保器件在高功率密度应用中仍能维持较低的工作温度。此外，该封装具有极高的机械稳定性和焊接可靠性，特别适合汽车电子和工业控制等高要求的应用场景。
　　PSMN9R5-100PS 的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 20V，兼容多种驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度。
　　另外，该 MOSFET 具有良好的雪崩能量承受能力，增强了在高压瞬态条件下的稳定性，适用于各种电源管理系统和负载开关应用。
　　总体而言，PSMN9R5-100PS 是一款兼具高性能、高可靠性和高效率的功率 MOSFET，适用于广泛的应用领域。

PSMN9R5-100PS MOSFET 主要用于以下几类应用场景：
　　首先，在电源管理领域，该器件广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源转换系统中表现出色，例如服务器电源、通信设备电源和嵌入式系统电源模块。
　　其次，在汽车电子系统中，PSMN9R5-100PS 可用于电池管理系统、车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和 DC-AC 逆变器。其高可靠性和耐高温能力，符合汽车电子对安全性和稳定性的严格要求。
　　此外，该 MOSFET 还适用于工业自动化控制系统，如电机驱动、PLC 模块和工业电源模块。其 LFPAK56 封装提供了良好的散热性能，适用于高密度和高功率需求的工业设备。
　　在消费电子产品中，PSMN9R5-100PS 也可用于笔记本电脑、智能电源管理模块和大功率 USB 充电设备，提供高效能和紧凑型解决方案。
　　综上所述，PSMN9R5-100PS 是一款多功能的功率 MOSFET，适用于电源管理、汽车电子、工业控制和消费电子等多个领域。

IPD90N10S4-03, BSC090N10NS5, SiR142DP