时间：2025/9/14 9:35:10
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PSMN8R9-100BSEJ 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能功率转换应用。该器件采用增强型 N 沟道 MOSFET 技术，具备低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：160A
最大漏源电压 (Vds)：100V
导通电阻 (Rds(on))：8.9mΩ
栅极电荷 (Qg)：125nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：Power-SO8
PSMN8R9-100BSEJ 具备多项卓越特性，使其在功率电子设计中具有广泛的应用价值。
首先，该器件的导通电阻仅为 8.9mΩ，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。在高电流工作条件下，这种低 Rds(on) 特性尤为关键，可显著减少发热，提升系统稳定性。
其次，PSMN8R9-100BSEJ 的最大漏极电流可达 160A，适用于高功率输出的场合。其高电流能力结合 100V 的漏源电压额定值，使其能够胜任多种中高功率 DC-DC 转换器和电机驱动电路。
此外，该 MOSFET 采用 Power-SO8 封装，具备良好的热管理和封装紧凑性。这种封装方式不仅便于表面贴装工艺（SMT），还能够有效散热，提升器件在高负载下的可靠性。
最后，PSMN8R9-100BSEJ 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于各种恶劣工作环境，如工业控制、汽车电子和电源管理系统等。
PSMN8R9-100BSEJ 主要应用于需要高效能功率管理的场合，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机控制电路、电源模块以及工业自动化设备等。其高电流能力和低导通电阻特性也使其成为高性能电源设计中的理想选择。
PSMN10R0-100BSEJ, PSMN9R0-100BSEJ
