时间：2025/9/15 1:46:48
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PSMN8R7-80PS 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高效率电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用中。该器件采用了先进的沟槽技术，能够在高电流下保持较低的导通电阻，并具备较高的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：80V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：100A
导通电阻(RDS(on))：8.7mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD)：200W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：PowerSO-10
PSMN8R7-80PS 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），在 VGS=10V 时仅为 8.7mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏极电流额定值高达 100A，适用于高功率密度设计。此外，其采用的沟槽式 MOSFET 技术增强了热稳定性和抗雪崩能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。
另一个重要特性是其高功率耗散能力，最大可达到 200W，使得该器件能够在高温环境下稳定工作。该 MOSFET 的封装形式为 PowerSO-10，具有良好的散热性能和紧凑的设计，适用于空间受限的 PCB 设计。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应多种工业环境。
在栅极驱动方面，PSMN8R7-80PS 支持 ±20V 的栅源电压，具有较强的抗干扰能力和兼容性，适用于多种驱动电路设计。此外，该器件具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高整体系统的能效。
PSMN8R7-80PS 主要用于需要高电流和低导通损耗的功率应用，如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动和工业自动化设备。在同步整流电路中，由于其低 RDS(on) 和高电流能力，可以显著提高转换效率并减少发热。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，适用于 Boost、Buck 和 Flyback 等拓扑结构。
在电池管理系统中，PSMN8R7-80PS 可用于主开关或平衡电路，确保电池组的安全运行和均衡管理。在电机控制方面，该器件可以作为 H 桥结构中的开关元件，实现电机的正反转及调速功能。此外，其高功率耗散能力和热稳定性使其在高功率 LED 驱动、电源适配器和不间断电源（UPS）等应用中也有广泛使用。
SiR182DP-T1-GE3, IPP090N08NG4S-07, FDS8879, BSC090N08LS G
