时间：2025/9/14 3:06:50
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PSMN8R7-80PS,127 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能、高可靠性 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场景。该器件采用先进的工艺技术制造，确保在高电流和高电压条件下仍具有稳定的性能。PSMN8R7-80PS,127 采用 TSON 封装形式，具备优良的热管理和散热能力，适用于对空间和散热有严格要求的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：80V
漏极电流(Id)：16A（最大值）
导通电阻(RDS(on))：8.7mΩ（典型值）
栅极电压(VGS)：10V
功率耗散(Pd)：46W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSON10
引脚数：10
阈值电压(VGS(th))：2.9V（最大值）
最大结温：150°C
PSMN8R7-80PS,127 具备多项关键特性，使其在多种电源管理和功率控制应用中表现出色。
首先，该 MOSFET 的导通电阻（RDS(on)）仅为 8.7mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其适用于高电流应用。低导通电阻有助于减少发热，从而提升整体系统的稳定性和可靠性。
其次，该器件支持高达 16A 的连续漏极电流，适用于需要高电流承载能力的场合。漏源电压额定值为 80V，使其能够适应多种中高压应用，包括电源转换、电池供电系统和电机控制等。
此外，PSMN8R7-80PS,127 采用 TSON10 封装，具有优良的热性能。这种封装形式不仅有助于提高散热效率，还支持更紧凑的 PCB 设计，适合空间受限的高密度电子产品。
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业、汽车和消费类电子等多种应用场景。
最后，该器件具有快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统响应速度，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等高频应用场景。
PSMN8R7-80PS,127 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用包括：DC-DC 转换器中的高边和低边开关，用于提升转换效率并减少能量损耗；电池管理系统中的负载开关，用于控制电池与负载之间的通断；电机控制电路中的功率开关，实现对电机速度和方向的精确控制；工业自动化设备中的电源模块，用于提供稳定的功率输出；汽车电子系统中的电源管理模块，如车载充电器和电池保护电路；此外，该器件还可用于高性能电源适配器、服务器电源系统以及 LED 照明驱动电路等高要求应用场景。
SiR862ADP, Nexperia PSMN9R5-80YS, Infineon BSC080N08LS
