时间：2025/9/14 14:51:47
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PSMN8R7-80BS,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能功率 MOSFET 器件。该器件属于 NexFET? 系列，采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高效率的功率转换能力。PSMN8R7-80BS,118 主要用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统，如服务器电源、DC-DC 转换器、电池管理系统以及工业自动化控制等领域。
类型：功率MOSFET
技术：TrenchMOS
漏源电压（VDS）：80V
漏极电流（ID）：190A
导通电阻（RDS(on)）：8.7mΩ
封装类型：LFPAK56
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
安装类型：表面贴装
引脚数：5
功率耗散（Ptot）：150W
PSMN8R7-80BS,118 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 8.7mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，使得在相同芯片面积下实现了更高的电流处理能力和更低的开关损耗。
其次，该 MOSFET 采用了 NXP 的 LFPAK56 封装技术，这是一种高性能的表面贴装封装，具备出色的热管理和电流承载能力。这种封装形式不仅提高了器件的机械稳定性，还简化了 PCB 布局和焊接工艺，特别适用于高密度电源设计。
此外，PSMN8R7-80BS,118 支持在极端温度条件下稳定工作，其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，确保了其在高温环境下的可靠性和耐久性。该器件的漏极电流能力高达 190A，适用于高功率应用中的快速开关操作。
该器件还具备优异的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力开关条件下的可靠性，适用于诸如同步整流、电机控制和电池充电系统等应用场景。
PSMN8R7-80BS,118 广泛应用于各种高功率和高效能电子系统中，包括服务器电源、通信设备电源、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具和工业自动化控制系统等。在服务器和通信设备中，该器件用于实现高效的电源转换，满足高密度和高效率的设计需求。
在 DC-DC 转换器中，PSMN8R7-80BS,118 作为主开关器件，其低导通电阻和高电流能力有助于提高转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中，该器件可用于实现高精度的充放电控制和过流保护功能。
此外，该 MOSFET 还适用于电机驱动和负载开关应用，其高可靠性和热稳定性使其在工业控制和自动化设备中表现优异。
PSMN9R9-80BS,118, PSMN8R5-80YSC,118, PSMN10R0-80BS,118
