时间：2025/9/14 21:21:30
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PSMN8R5-60YS,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优秀的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等高功率应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：160A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：8.5mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：13mΩ
功率耗散（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN8R5-60YS,115 具备极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其采用的 LFPAK56 封装具有优异的热管理能力，能够有效散热，适用于高功率密度设计。该 MOSFET 支持高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 160A，在高温环境下仍能保持稳定运行。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持 4.5V 至 10V 驱动，适用于多种驱动电路设计。其坚固的结构设计和宽泛的工作温度范围，使其能够在恶劣环境中可靠运行。
该器件还具备良好的短路耐受能力和抗冲击能力，适用于需要高可靠性的工业控制、电源转换、电动汽车以及电动工具等应用。LFPAK 封装无引脚设计也提高了装配良率和 PCB 的空间利用率。
PSMN8R5-60YS,115 主要用于各种高功率电子系统中，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、UPS（不间断电源）、工业自动化控制设备以及电动工具等。其高效率和高可靠性也使其成为新能源汽车、储能系统和服务器电源等对性能要求较高的应用中的理想选择。
IRF1405, SiSS140DN, IPB019N06N3 G, STP150N6F6
