时间：2025/9/14 3:23:28
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PSMN8R5-40MLDX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于各种高效率电源管理应用。该MOSFET采用LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，具有优良的热性能和机械强度，适合用于汽车电子、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。PSMN8R5-40MLDX具有高可靠性，符合AEC-Q101汽车级标准，并且是无铅环保的。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：180A
导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：8.5mΩ（最大）
导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：11mΩ（最大）
功耗（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN8R5-40MLDX的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其RDS(on)在4.5V栅极电压下最大仅为8.5mΩ，在2.5V栅极电压下也保持在11mΩ以下，这意味着它可以与较低电压的栅极驱动器兼容，如微控制器直接驱动。
该MOSFET采用了Nexperia先进的Trench技术，优化了导通和开关损耗之间的平衡。此外，LFPAK56封装提供了出色的热管理能力，允许在高功率密度设计中使用，同时其无引脚设计提高了PCB的机械稳定性和抗振动能力。
PSMN8R5-40MLDX具有良好的短路耐受能力，并且在高温下仍能保持稳定的电气性能，这使其非常适合用于汽车应用中常见的恶劣工作环境。该器件还具备低栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高开关频率下的效率。
另外，该MOSFET的封装设计支持双面散热，有助于进一步提高散热效率。其符合RoHS标准，且不含卤素，满足现代电子产品对环保的要求。
PSMN8R5-40MLDX广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。例如，它常用于汽车电子系统中的电动助力转向（EPS）、起停系统、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）。在工业领域，该器件适用于电机驱动、电源开关、负载开关、逆变器和服务器电源等应用。
由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET也非常适合用于同步整流、负载点（PoL）电源、电源管理模块以及高功率密度的电源适配器和充电器。此外，其优异的热性能和可靠性也使其成为高温环境应用中的理想选择。
PSMN9R5-40MLC, PSMN1R8-40MLE, PSMN2R8-40MLE
