时间：2025/9/14 10:25:17
阅读：7
PSMN8R5-100PSFQ 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制。PSMN8R5-100PSFQ 采用先进的 Trench 工艺技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及优异的热性能。该器件的封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），具有优异的热管理和高可靠性，适用于汽车电子、工业控制、消费电子等多个领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 VDS：100 V
栅源电压 VGS：±20 V
连续漏极电流 ID：140 A（在 Tc=25°C）
导通电阻 RDS(on)：8.5 mΩ（典型值，VGS = 10 V）
最大功耗 PD：130 W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN8R5-100PSFQ 采用 Nexperia 的先进 Trench 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能，使其在高电流和高频应用中表现出色。该器件的 RDS(on) 典型值仅为 8.5 mΩ，确保在高负载条件下也能保持较低的功率损耗，从而提升整体系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为 140A，适合高功率密度设计。
PSMN8R5-100PSFQ 采用 LFPAK56 封装，该封装具有双面散热能力，可有效降低热阻，提高散热效率。LFPAK 系列封装因其高可靠性和优异的热管理性能，广泛应用于汽车电子和工业电源系统中。此外，该封装形式支持高自动化装配工艺，适用于现代 SMT 生产线。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有良好的栅极氧化层稳定性，避免在高电压或瞬态条件下损坏。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于极端环境下的应用，如车载系统和工业控制设备。
PSMN8R5-100PSFQ 还具有优异的雪崩能量耐受能力，可在负载突变或短路情况下提供更高的鲁棒性。其快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频 PWM 控制和同步整流电路。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，无卤素，满足现代电子设备的环保要求。
PSMN8R5-100PSFQ 广泛应用于多个高性能功率管理领域，包括但不限于：
1. **DC-DC 转换器**：适用于高效率的同步整流拓扑，如降压（Buck）、升压（Boost）和反相（Flyback）转换器，特别适合用于服务器电源、通信设备电源和嵌入式电源系统。
2. **电机驱动和控制**：在电机控制、电动工具和无刷直流电机（BLDC）应用中，作为高边或低边开关，提供高效率和高可靠性。
3. **电池管理系统**：用于电池充放电控制、电池保护电路和负载切换，尤其适用于电动自行车、储能系统和便携式能源设备。
4. **汽车电子**：广泛用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、车身控制模块（BCM）和车载娱乐系统等应用，满足汽车行业对高可靠性和高温耐受性的要求。
5. **工业自动化与电源管理**：在工业 PLC、伺服驱动器、UPS（不间断电源）和智能电网设备中，作为主功率开关或辅助电源管理元件。
PSMN9R5-100PSFQ, PSMN1R8-100PSFQ, PSMN2R8-100PSFQ
