时间：2025/9/15 2:05:49
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PSMN8R3-40YS 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于其新一代高性能功率器件系列。该器件设计用于在高频率和高效率要求的应用中提供出色的导通和开关性能。PSMN8R3-40YS 的命名中，PSMN 表示该器件为 N 沟道 MOSFET，8R3 表示其导通电阻（Rds(on)）为 8.3 mΩ，40 表示最大漏极-源极电压（Vds）为 40V，YS 通常代表其封装类型和温度等级。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压 Vds：40V
栅极-源极电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：150A（在 Tc=25°C）
导通电阻 Rds(on)：8.3mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK56（也称为 Power-SO8）
最大耗散功率：120W
栅极电荷 Qg：120nC（典型值）
输入电容 Ciss：2500pF（典型值）
PSMN8R3-40YS 是一款专为高效率功率转换设计的 MOSFET，其导通电阻低至 8.3 mΩ，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用 LFPAK56 封装，这是一种无引脚、双面散热的功率封装技术，具有优异的热性能和电流承载能力，同时减少了 PCB 空间占用。
此外，PSMN8R3-40YS 具有较高的雪崩能量耐受能力，使其在突发过压或开关瞬态情况下具有良好的稳定性和可靠性。其栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 驱动，适用于多种类型的栅极驱动器，包括低压控制器和专用驱动 IC。
该器件还具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并提高开关速度，使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等。
PSMN8R3-40YS 适用于多种功率电子系统，特别是在需要高效率和紧凑设计的应用中。典型应用包括：
? 高频 DC-DC 降压/升压转换器
? 服务器和通信设备的电源模块
? 电动工具和无刷直流电机控制器
? 电池管理系统（BMS）中的负载开关
? 车载电子系统，如车载充电器（OBC）和DC-DC转换器
? 功率因数校正（PFC）电路
由于其高电流能力和优异的热管理性能，PSMN8R3-40YS 特别适合用于需要高功率密度和高效能的电源设计。
IPD80N40C3-04,NDS8858,FDMS8880
