时间：2025/9/14 21:46:52
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PSMN7R8-120PS 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于工业电源、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等领域。PSMN7R8-120PS 采用高性能的 TrenchMOS 技术，确保在高电流和高频率下保持良好的性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：120V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：70A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：7.8mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
PSMN7R8-120PS 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得器件在高电流应用中具有较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该 MOSFET 在 10V 栅极驱动电压下能够实现完全导通，确保在常见的电源管理电路中稳定运行。
该器件采用了先进的 TrenchMOS 工艺技术，使其在高密度功率应用中具备出色的性能表现。其高耐压能力（120V）允许在较宽的输入电压范围内使用，适用于各种高功率 DC-DC 转换器和负载开关设计。
PSMN7R8-120PS 的封装形式为 TO-263（D2PAK），这种表面贴装封装具有良好的热性能和机械稳定性，适合在高功率密度 PCB 设计中使用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，使其在不同的控制电路中具有良好的兼容性。
另一个重要特性是其优异的热稳定性与可靠性，能够在 -55°C 至 175°C 的温度范围内稳定工作，适用于恶劣的工业环境。其低热阻特性有助于在高负载条件下保持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命。
PSMN7R8-120PS 广泛应用于各种高功率电源管理系统中。它常用于工业电源、服务器电源、DC-DC 转换器、同步整流器以及电机控制电路中。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和高可靠性的设计场景。
此外，该 MOSFET 也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及在高功率 LED 照明系统中作为调光或开关元件使用。在汽车电子领域，PSMN7R8-120PS 可用于车载充电器、电动工具以及能量回收系统中。
其封装形式（TO-263）也使其易于集成到自动化生产线中，适用于大批量生产的电子产品。在消费类电子产品中，如高性能游戏主机、笔记本电脑电源适配器中也可见其身影。
SiR142DP-T1-GE3, FDD8882, IPB075N12N3
