时间：2025/9/14 8:27:12
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PSMN7R8-100PSE是一款由Nexperia（安世半导体）推出的增强型功率MOSFET，采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件适用于高效率功率转换和负载管理应用，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。
类型：增强型MOSFET
工艺：Trench肖特基
封装形式：PowerSO
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：@25°C下70A
导通电阻(Rds(on))：最大7.8mΩ @Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
PSMN7R8-100PSE的核心特性在于其卓越的导通性能和优异的开关速度。该器件采用Trench肖特基技术，使得Rds(on)极低，同时减少了导通损耗。其最大导通电阻仅为7.8mΩ，在10V栅极驱动条件下能够实现高效的功率传输。此外，该MOSFET具有快速的开关响应能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流和电机控制。
在热性能方面，PSMN7R8-100PSE具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持较低的温升。其封装形式为PowerSO，具有良好的散热性能，适合高功率密度应用。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性和耐用性。
安全性和保护特性方面，该MOSFET具备较高的栅极电压容限（±20V），有效防止因驱动电压波动导致的损坏。此外，其工作温度范围宽广，从-55°C至+175°C，适应多种恶劣环境。
PSMN7R8-100PSE广泛应用于多个高功率电子系统中，例如服务器电源、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动和负载开关控制。在汽车电子领域，该器件可被用于车载充电系统、电池保护电路和电动助力转向系统。此外，在工业自动化和能源管理系统中，该MOSFET也可作为高效功率开关使用，适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和功率因数校正（PFC）电路。
PSMN9R8-100PSE, PSMN8R5-100PSE
