时间：2025/9/15 0:55:41
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PSMN7R6-60BS 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于多种高效率电源管理应用。PSMN7R6-60BS采用常见的D2PAK封装，适合表面贴装工艺，便于散热和安装。其额定电压为60V，最大连续漏极电流可达75A，使其适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：75A（在Tc=25°C）
漏极电流峰值（Idm）：180A
导通电阻（Rds(on)）：7.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
封装类型：表面贴装
PSMN7R6-60BS具有多个优良的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为7.6mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力（75A连续漏极电流）使其适用于大功率应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制。此外，PSMN7R6-60BS采用先进的TrenchMOS技术，提供快速的开关性能，有助于降低开关损耗并提高系统的动态响应。该器件的栅极电荷（Qg）较低，进一步优化了高频开关应用中的性能。
PSMN7R6-60BS的封装设计具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。D2PAK封装不仅提供了较高的功率密度，还支持表面贴装工艺，简化了PCB布局和组装流程。此外，该器件具有宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），适用于严苛的工业和汽车环境。内置的雪崩能量额定值（EAS）也增强了其抗瞬态过压能力，提高系统的稳定性和可靠性。
PSMN7R6-60BS广泛应用于多种高功率密度和高效率的电子系统中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器和电源管理模块。由于其高电流能力、低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。此外，PSMN7R6-60BS还可用于工业自动化设备、电源适配器和高功率LED照明驱动电路。
IPD70N06S4-03, STD75N6F7, FDD8876, BSC070N06LS
