PSMN7R6-100BSE 时间：2025/9/15 1:37:18 阅读：12

PSMN7R6-100BSE是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。该器件采用Trench沟槽技术，具备低导通电阻和高电流处理能力，能够在高频率下高效运行。PSMN7R6-100BSE采用LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装技术（SMT）。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：75A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：7.6mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：11mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：LFPAK56（Power-SO8）

特性

PSMN7R6-100BSE具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其在高电流应用场景中表现突出。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，确保了在高压下的稳定性能和优异的开关特性。此外，LFPAK56封装提供了出色的热管理能力，能够有效散热，提升器件在高功率密度环境下的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的驱动电压，使其兼容多种控制电路，如PWM控制器和微处理器。PSMN7R6-100BSE还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，适用于对稳定性和可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。
　　由于其优异的功率处理能力和紧凑的封装设计，PSMN7R6-100BSE适用于多种高密度电源设计，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电机控制以及负载开关等应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子制造。