时间：2025/9/15 2:22:16
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PSMN7R5-60YLX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型MOSFET，具有高性能和高可靠性，适用于多种功率电子应用。该器件采用先进的Trench技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：Power-SO8
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（最大）
功率耗散（Ptot）：100W
引脚数：8
PSMN7R5-60YLX MOSFET具备多项显著特性，包括极低的导通电阻（Rds(on)）为7.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用先进的Trench技术，优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性和可靠性。
此外，该MOSFET具有较高的热稳定性与散热能力，能够在高电流负载下保持良好的性能，适用于高功率密度设计。封装形式为Power-SO8，不仅节省空间，还便于在PCB上安装和焊接。
其栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至20V的Vgs操作，便于与多种驱动电路兼容。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
PSMN7R5-60YLX MOSFET广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器、负载开关、工业自动化设备以及汽车电子系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效能开关应用的理想选择。在汽车电子中，该器件可用于车载充电系统、车身控制模块以及车载逆变器等场景。此外，在服务器电源、UPS系统以及储能设备中也常见其身影。
PSMN10R0-60YSF, PSMN9R5-60YSF, PSMN8R5-60YLC
