时间：2025/9/14 23:42:34
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PSMN7R5-30YLD是一款由Nexperia（原恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的Trench技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电源管理和电池充电系统等高要求的电子电路。
类型：N沟道
漏极-源极电压(VDS)：30V
栅极-源极电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：70A（在Tc=25°C时）
导通电阻(RDS(on))：7.5mΩ（最大值，VGS=10V时）
功耗(PD)：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
PSMN7R5-30YLD的主要特性包括低导通电阻，使其在高电流条件下能够显著降低功率损耗，从而提高系统效率。
此外，该MOSFET具有优异的热性能和电流处理能力，能够在高负载条件下稳定运行。
该器件采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备优良的PCB贴装兼容性和散热性能，同时支持双面散热，进一步提升热管理能力。
其栅极设计确保快速开关操作，减少开关损耗，并提高整体系统性能。
此外，PSMN7R5-30YLD还具备高可靠性，适合在恶劣环境中长期使用。
PSMN7R5-30YLD广泛应用于多个领域，包括服务器电源、电信设备、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和电机控制电路。
由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适合用于高效电源转换系统，如VRM（电压调节模块）和POL（负载点）转换器。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车载逆变器等关键应用。
此外，它还可用于工业自动化设备、高性能计算设备和消费类电子产品中的高效率电源管理解决方案。
PSMN9R5-30YLD、PSMN8R5-30YLD、SiSS78N30、FDMS8880
