时间：2025/9/15 3:17:09
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PSMN7R0-60YS是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的Trench技术，提供优异的导通电阻（RDS(on)）和热性能，适合高频开关应用。PSMN7R0-60YS采用DFN2020-6（L）封装，适用于需要高效能和小尺寸设计的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：7.0A（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.2V至2.5V（在VDS=VGS时）
导通电阻（RDS(on)）：最大值为7.0mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：DFN2020-6（L）
功耗（Ptot）：3.4W
输入电容（Ciss）：约780pF（在VDS=25V时）
栅极电荷（Qg）：约9.5nC（在VGS=10V时）
PSMN7R0-60YS具有低导通电阻（RDS(on)），使其在导通状态下损耗极低，从而提高了系统的整体效率。该MOSFET的DFN2020-6（L）封装不仅体积小巧，还具备良好的热管理能力，有助于在高功率密度设计中实现高效的散热。其高电流承载能力（7A）和低RDS(on)特性，使其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用。
此外，PSMN7R0-60YS的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在各种严苛环境下稳定工作。该器件的栅极阈值电压范围为1.2V至2.5V，确保了其在不同驱动电路中的兼容性。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而适用于高频开关电源应用。
该MOSFET还具有出色的雪崩能量耐受能力，确保在异常工作条件下的可靠性和耐用性。这些特性使PSMN7R0-60YS成为许多高性能功率电子设计中的理想选择。
PSMN7R0-60YS常用于各种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。由于其高效率和小尺寸封装，该器件也广泛应用于便携式电子产品、汽车电子系统和工业自动化设备中的功率控制电路。
PSMN6R8-60YS, PSMN7R5-60YLC, PSMN8R0-60YLC
