时间：2025/9/15 0:20:00
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PSMN7R0-30MLC 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。该型号专为高效率电源转换系统设计，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等领域。PSMN7R0-30MLC 的封装形式为 LFPAK 封装，具备优良的热管理和可靠性，适用于汽车电子、工业控制以及消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：7mΩ
栅极电荷（Qg）：82nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56
PSMN7R0-30MLC 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)）仅为 7mΩ，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，使得其在高频率开关应用中表现出色，具备快速开关能力和低开关损耗。此外，PSMN7R0-30MLC 采用了 LFPAK56 封装技术，这种封装形式具有出色的热管理性能，能够在高功率密度环境下保持良好的稳定性。
该器件的栅极电荷（Qg）为 82nC，确保在高频工作条件下依然具有较低的驱动损耗，适用于高效率的同步整流和 DC-DC 转换器应用。PSMN7R0-30MLC 的最大漏极电流可达 150A，在 30V 的漏-源电压下具有良好的导通和开关性能，适用于高负载条件下的电源管理。
该 MOSFET 具有 ±20V 的最大栅-源电压，使其在各种驱动条件下都具有较高的稳定性和可靠性。同时，其工作温度范围从 -55°C 到 175°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。LFPAK56 封装还具备优异的机械强度和抗热冲击能力，适合在高温和高振动环境下使用。
PSMN7R0-30MLC 主要用于高效电源转换和功率管理应用，例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高性能计算、服务器电源、汽车电子和工业控制系统的理想选择。
SiR142DP-T1-GE3, IPB036N10N3 G, BSC090N15NS5 AGMA07
