时间：2025/9/14 15:27:50
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PSMN7R0-100BS,118 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种高效率电源管理电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力及优良的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用领域。其封装形式为Trench MOSFET技术的DFN5065-8封装，具备良好的散热性能。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：180A @ Tc=25°C
导通电阻(Rds(on))：最大7mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：最大9mΩ @ Vgs=4.5V
功耗(Pd)：120W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：DFN5065-8
PSMN7R0-100BS,118 的最大特点在于其极低的导通电阻，在10V栅极电压下仅为7mΩ，这使得该MOSFET在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，使得其在保持低导通电阻的同时，也具备较高的开关速度，适用于高频开关电源设计。
在热管理方面，DFN5065-8封装具有出色的散热性能，能够有效地将热量传导至PCB板上，从而提高器件的热稳定性和可靠性。该MOSFET的工作温度范围宽广，从-55°C到+175°C，可在极端环境条件下稳定工作，适用于汽车电子、工业控制等严苛应用场景。
PSMN7R0-100BS,118 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关效率。同时，其具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。
PSMN7R0-100BS,118 主要应用于需要高效率、高功率密度的电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器和逆变器等。此外，该器件也适用于工业自动化设备、汽车电子系统、服务器电源和消费类电子产品中的高功率开关控制应用。
PSMN9R5-100BS,118; PSMN1R8-100BS,118
