时间：2025/9/14 23:45:32
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PSMN6R9-100YSF是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，具有优异的导通电阻和开关性能。该器件适用于高效率电源转换和功率管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和工业控制电路。该MOSFET采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备优良的热管理和可靠性。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：90A（在Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：6.9mΩ（最大值，Vgs=10V）
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
功率耗散(Pd)：135W
开启阈值电压(Vgs(th))：2.5V至4V
输入电容(Ciss)：1750pF（典型值）
反向恢复时间(trr)：19ns（典型值）
PSMN6R9-100YSF基于先进的TrenchMOS技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了能效。其6.9mΩ的最大Rds(on)值在同类产品中具有竞争优势，适合用于高电流和高功率的应用。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，其反向恢复时间仅为19ns，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
该器件的封装形式为LFPAK56，是一种无引线、双面散热的封装，具有良好的热传导性能和机械稳定性，适用于高可靠性和高功率密度的设计需求。LFPAK封装还具备出色的焊接可靠性和易于自动化装配的优势，广泛应用于汽车电子、工业电源和消费类电子产品。
PSMN6R9-100YSF的工作温度范围为-55°C至175°C，适应严苛的环境条件，确保在高温工作下的稳定性和寿命。其栅极氧化层设计支持±20V的栅极电压，提供较强的抗过压能力，增强了器件的使用安全性。
该MOSFET适用于多种高功率和高效率的应用场景。例如，在DC-DC转换器中，PSMN6R9-100YSF可以作为主开关器件，提供高效的能量转换。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，其低导通电阻特性有助于减少能耗并提高电池寿命。此外，PSMN6R9-100YSF还可用于负载开关、电机驱动、电源管理和工业自动化控制等场合。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及电池管理系统（BMS），其高可靠性和优异的热管理能力确保在复杂工况下的稳定运行。在消费类电子产品中，PSMN6R9-100YSF可用于高性能电源适配器、笔记本电脑电源管理和智能电源插座等应用。
IRF1405, PSMN9R5-100YSF, PSMN7R9-100YSF
