时间：2025/9/14 6:42:35
阅读：14
PSMN6R7-40MSDX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于其第二代硅基功率器件系列。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。该器件采用无铅环保封装，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适合广泛用于工业、汽车和消费类电子产品中。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大漏极电流(Id)：120A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：6.7mΩ（最大值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：22nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：Power-SO8（LFPAK）
安装类型：表面贴装（SMD）
功耗(Pd)：93W
PSMN6R7-40MSDX 具备多项先进的性能特点。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用 LFPAK 封装技术，具备出色的热性能和机械稳定性，能够在高负载条件下保持稳定工作。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于极端环境下的应用，例如汽车电子系统和工业控制设备。
该MOSFET还具备快速开关特性，栅极电荷(Qg)较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。在高频率开关应用中，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关，PSMN6R7-40MSDX 能够提供优异的性能表现。
由于采用先进的沟槽式结构设计，PSMN6R7-40MSDX 在保证高性能的同时，也具备良好的抗雪崩能力，提高了器件在异常工作条件下的可靠性。此外，该器件的封装符合无铅环保标准，适合现代电子制造对环保的严格要求。
PSMN6R7-40MSDX 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
? 汽车电子系统：如电动助力转向（EPS）、车载充电器、电池管理系统（BMS）等；
? 工业自动化：如伺服电机驱动、PLC电源管理、工业逆变器等；
? 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关、同步整流器等；
? 消费电子产品：如笔记本电脑电源适配器、高功率移动电源等；
? 可再生能源系统：如太阳能逆变器、储能系统等。
IPD65R060C7 (Infineon) | FDS6680 (ON Semiconductor) | SiR178DP (Vishay) | BSC060N04LS5 (Infineon)
