PSMN6R5-80PS,127 是恩智浦(NXP)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用高性能Trench工艺制造,适用于高效率电源转换系统。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用。其封装形式为LFPAK56(Power-SO8),具有良好的热性能和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压Vds:80V
漏极电流Id(连续):60A
导通电阻Rds(on):6.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电压Vgs:±20V
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装:LFPAK56 (Power-SO8)
功率耗散Pd:140W
PSMN6R5-80PS,127 采用了先进的Trench MOSFET技术,具有极低的导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了能效。其Rds(on)仅为6.5毫欧,适用于高电流应用,如电源管理、电机驱动和同步整流器。
该器件的封装形式LFPAK56是一种高性能的双排表面贴装封装,具备优异的热传导性能,能够有效散热,提高系统稳定性与可靠性。此外,该封装设计有助于减少PCB布局中的寄生电感,提升开关性能。
MOSFET的栅极电压范围为±20V,具备较高的抗过压能力,适用于多种栅极驱动电路。其工作温度范围为-55°C至175°C,适应严苛的工业环境。PSMN6R5-80PS,127还具备快速开关特性,适用于高频开关电源应用,有助于减小外围元件尺寸并提高整体系统效率。
此外,该器件符合RoHS环保标准,无卤素,适用于环保要求较高的电子产品设计。
PSMN6R5-80PS,127 广泛应用于各种电源管理与功率控制领域。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率开关模块。
在服务器电源、通信电源和UPS系统中,PSMN6R5-80PS,127可用于高效能电源转换,提高系统效率并降低热量产生。在电动汽车和储能系统中,该器件可用于电池充放电管理电路,实现高可靠性和高效能的电能控制。
此外,该MOSFET也适用于电机驱动器、逆变器和智能功率模块(IPM),在需要高电流承载能力和低导通损耗的场合表现出色。
SiR142DP-T1-GE3, IPPB60R065C7DAKMA1