时间：2025/9/14 8:10:21
阅读：35
PSMN6R5-80PS,127 是恩智浦（NXP）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用高性能Trench工艺制造，适用于高效率电源转换系统。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用。其封装形式为LFPAK56（Power-SO8），具有良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压Vds：80V
漏极电流Id（连续）：60A
导通电阻Rds(on)：6.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电压Vgs：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
功率耗散Pd：140W
PSMN6R5-80PS,127 采用了先进的Trench MOSFET技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。其Rds(on)仅为6.5毫欧，适用于高电流应用，如电源管理、电机驱动和同步整流器。
该器件的封装形式LFPAK56是一种高性能的双排表面贴装封装，具备优异的热传导性能，能够有效散热，提高系统稳定性与可靠性。此外，该封装设计有助于减少PCB布局中的寄生电感，提升开关性能。
MOSFET的栅极电压范围为±20V，具备较高的抗过压能力，适用于多种栅极驱动电路。其工作温度范围为-55°C至175°C，适应严苛的工业环境。PSMN6R5-80PS,127还具备快速开关特性，适用于高频开关电源应用，有助于减小外围元件尺寸并提高整体系统效率。
此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，适用于环保要求较高的电子产品设计。
PSMN6R5-80PS,127 广泛应用于各种电源管理与功率控制领域。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。
在服务器电源、通信电源和UPS系统中，PSMN6R5-80PS,127可用于高效能电源转换，提高系统效率并降低热量产生。在电动汽车和储能系统中，该器件可用于电池充放电管理电路，实现高可靠性和高效能的电能控制。
此外，该MOSFET也适用于电机驱动器、逆变器和智能功率模块（IPM），在需要高电流承载能力和低导通损耗的场合表现出色。
SiR142DP-T1-GE3, IPPB60R065C7DAKMA1
