时间：2025/9/14 10:03:06
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PSMN6R0-25YLDX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，适用于高效率、高密度的功率转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、优异的热性能以及高可靠性的特点，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：25V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻 Rds(on)：6 mΩ（典型值）
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN6R0-25YLDX 的核心特性之一是其极低的导通电阻，典型值仅为 6 mΩ，这使得在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
该器件采用了 Nexperia 独家的 LFPAK56 封装技术，这种封装形式不仅提供了优异的热管理和机械稳定性，还具有良好的焊接可靠性和可检测性，便于在自动化生产中进行质量控制。
此外，PSMN6R0-25YLDX 具备高电流承载能力，额定漏极电流可达 60A，适用于需要高功率密度的设计。其栅极驱动电压范围宽，支持与多种类型的控制器或驱动器兼容，提高了设计灵活性。
在可靠性方面，该 MOSFET 经过严格的测试和验证，符合 AEC-Q101 汽车级认证标准，适合用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场合。
PSMN6R0-25YLDX 主要用于高性能电源管理系统中，如同步整流 DC-DC 转换器、POL（Point of Load）电源模块、电池充放电管理电路以及负载开关控制等场景。
在服务器、通信设备、工业自动化控制系统中，该器件可作为高效率功率开关使用，提升整体系统能效。
由于其符合汽车级认证标准，也广泛应用于汽车电子系统中的电机驱动、车载充电器、电池管理系统（BMS）等关键部件。
此外，该 MOSFET还可用于电源管理模块中的热插拔控制、电源分配系统以及高功率 LED 驱动电路中。
SiSSPM65R0LD
FDS6680
PSMN5R9-25YLC
NVTFS5C428NL
