时间：2025/9/15 1:13:43
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PSMN4R8-100PSE 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能功率转换应用而设计，适用于如电源供应器、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。该MOSFET采用了先进的工艺技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)）以及优异的热性能，能够在高电流和高频率条件下稳定工作。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：72A
最大漏-源电压（VDS）：100V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.8mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10
引脚数：10
PSMN4R8-100PSE 的核心优势在于其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为4.8mΩ，在VGS=4.5V时也保持在5.8mΩ的低水平，这对于需要低电压驱动的系统尤为重要。
此外，该MOSFET采用高性能封装技术，具有良好的散热性能，能够有效应对高温环境下的挑战。其200W的最大功率耗散能力使得它在高负载条件下也能保持稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动电压，适用于多种控制电路。其±20V的栅极电压耐受能力提供了更高的安全裕量，防止栅极击穿。
PSMN4R8-100PSE 还具有出色的雪崩能量耐受能力，确保在异常工作条件下的可靠性。其-55°C至175°C的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。
PSMN4R8-100PSE 主要应用于需要高效率、高电流承载能力和高可靠性的功率系统中。典型的应用包括同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件也适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和服务器电源系统。在这些应用中，降低导通损耗是提升整体效率的关键因素。
此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统，如电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率管理模块，确保在复杂工况下的稳定运行。
其宽泛的工作温度范围和高可靠性也使其适用于户外设备、航空航天和工业控制系统中的关键功率控制环节。
IPB045N10N3 G, SQM100R480E, PSMN5R8-100YSF, FDS8876, SiR144DP
