时间：2025/9/14 22:21:56
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PSMN4R5-40BS 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于各种高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用 D2PAK 封装形式，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于工业级工作环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：5.2mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：D2PAK
PSMN4R5-40BS 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中具有出色的效率表现。其导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 4.5mΩ，显著降低了导通损耗。此外，在 Vgs=4.5V 时也能保持较低的 Rds(on)，适合用于低电压栅极驱动系统。
该器件采用了 Nexperia 的先进 Trench 技术，提高了电流密度和热稳定性，增强了器件的长期可靠性。Trench 结构还优化了开关性能，使其在高频应用中表现出色。
PSMN4R5-40BS 支持高达 100A 的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。其 ±20V 的栅源电压耐受能力提供了良好的抗过压保护能力，增强了栅极驱动电路的兼容性。
该 MOSFET 在高温环境下仍能稳定工作，最高工作温度可达 175°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。D2PAK 封装具备良好的散热性能，有助于降低系统的热管理成本。
PSMN4R5-40BS 还具备快速开关能力，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。其开关参数在不同负载条件下保持稳定，有利于设计高性能的 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制器。
PSMN4R5-40BS 广泛应用于各种高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中，为电源管理提供高效可靠的解决方案。
在汽车电子领域，PSMN4R5-40BS 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）中的功率控制部分。其高可靠性和耐高温能力使其在汽车严苛环境下表现出色。
在工业自动化和电机控制应用中，该器件适用于大功率电机驱动器、伺服控制系统以及工业电源模块。其低导通电阻和高电流能力有助于提升系统的整体效率和稳定性。
PSMN4R5-40BS 也适用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源（UPS）等新能源应用。在这些系统中，该 MOSFET 可用于高频开关电路，实现高效的能量转换与管理。
此外，该器件也可用于服务器电源、电信电源设备以及大功率 LED 驱动器等高可靠性要求的消费类和工业类产品中。
SiSS100N04CFD, IPPB4R5N04C4, BSC050N04LS
