时间：2025/5/29 20:09:51
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PSMN4R3-80PS 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于小信号及功率开关应用的理想选择。该器件采用 SO-8 封装形式，具有低导通电阻和较高的电流处理能力。其主要特点包括低导通损耗、快速开关速度以及良好的热性能，适用于各种消费类电子设备和工业控制领域。
这款 MOSFET 的设计旨在降低功耗并提升效率，同时保持可靠性和稳定性。此外，PSMN4R3-80PS 具有出色的雪崩能力，能够在过载条件下提供额外的保护。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：4.3mΩ
栅极电荷：27nC
总电容（输入电容）：1150pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SO-8
PSMN4R3-80PS 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达 19A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 较宽的工作温度范围，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 良好的热性能和封装设计，确保高效的散热效果。
6. 内置反向二极管，增强对感应负载的保护能力。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
PSMN4R3-80PS 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的开关元件。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电保护。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 消费类电子产品中的负载切换和保护电路。
6. LED 照明系统的驱动电路。
7. 通信设备中的功率管理模块。
PSMN4R0-80PS, PSMN4R5-80PS
