时间：2025/9/14 17:14:13
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PSMN4R3-100PS,127 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Trench技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。PSMN4R3-100PS,127 通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：20V（最大）
连续漏极电流（ID）：100A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ（最大）
封装类型：PowerSO-10
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PSMN4R3-100PS,127 具备多项优良特性，使其适用于高性能功率电子系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使器件在高电压下仍能保持优异的性能和稳定性。
其次，该器件具有较高的电流处理能力，额定连续漏极电流为100A，适合用于高功率密度设计。此外，PSMN4R3-100PS,127 还具有良好的热性能，封装设计有助于有效散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平（如5V或10V）驱动，便于与各种控制电路兼容。同时，其具备较强的抗雪崩能力和过载能力，增强了器件在严苛环境下的可靠性。
PSMN4R3-100PS,127 适用于多种功率电子应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达控制器、电池管理系统以及服务器和通信设备中的电源模块。由于其高效率和高可靠性，该器件特别适合用于需要紧凑设计和高效能表现的电源管理系统。
在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，PSMN4R3-100PS,127 可用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，以实现高能效的能源转换。此外，在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET也广泛用于H桥驱动器、电机驱动器和功率开关电路。
其高耐压和高电流特性也使其成为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）电路中的理想选择。
SiHH100N10T、IPD90N10S3-07、IRF1324S-7PPBF
