时间：2025/9/14 6:19:13
阅读：8
PSMN4R3-100ES,127 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：20V（最大值）
连续漏极电流（ID）：88A（在25°C下）
导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ（最大值，在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（也称为Power-SO8）
PSMN4R3-100ES,127具有以下显著特性：
首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。4.3mΩ的RDS(on)使其在高电流应用中表现优异。
其次，该MOSFET采用LFPAK56封装，这是一种高功率密度、低热阻的表面贴装封装，有助于提高散热性能，同时兼容标准的SMT生产工艺，降低了制造成本。
此外，该器件具备高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。88A的连续漏极电流和300W的功率耗散能力使其适用于高功率密度的设计。
PSMN4R3-100ES,127还具备优异的热稳定性，工作温度范围从-55°C至175°C，适合在各种恶劣环境中使用，如工业控制、汽车电子等。
最后，该器件的栅极驱动电压范围宽广，可在10V左右实现良好的导通性能，适用于多种驱动电路设计。
PSMN4R3-100ES,127广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. **DC-DC转换器**：由于其低导通电阻和高效率特性，非常适合用于同步整流和高边/低边开关应用。
2. **电池管理系统（BMS）**：用于高电流充放电控制和保护电路中的开关元件。
3. **电机驱动和功率负载开关**：在工业自动化和机器人系统中，作为高效的功率开关使用。
4. **服务器和电信电源系统**：用于高可靠性电源模块，提升整体系统效率。
5. **汽车电子**：如车载充电器、DC-DC转换器、电动助力转向系统等应用场景。
6. **太阳能逆变器和储能系统**：作为功率转换的核心开关器件，提升系统整体效率。
IPB045N10N3, INF100N04S08AKSA1, SiSS100DN
