时间：2025/9/15 1:27:11
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PSMN4R2-30MLDX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高密度的功率转换应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场景。该MOSFET采用先进的封装技术，提供良好的散热能力和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：LFPAK56（5670封装）
PSMN4R2-30MLDX 的核心优势在于其极低的导通电阻，仅为4.2毫欧，在高电流应用中可显著降低功率损耗，提高系统效率。其N沟道结构和高栅极阈值电压设计确保了良好的开关性能和稳定性。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在高压瞬态条件下的可靠性。
该MOSFET采用LFPAK56封装，是一种无引脚、双面散热的功率封装技术，具备出色的热管理性能，适用于高密度PCB布局。封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。
PSMN4R2-30MLDX 在10V栅极驱动电压下可实现完全导通，支持高频开关操作，适用于现代高效率电源转换器。其封装设计减少了寄生电感，有助于降低开关损耗并提高EMI性能。此外，该器件具有高短路耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
PSMN4R2-30MLDX 主要应用于高效能电源管理系统，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、同步整流模块、电池管理系统（BMS）以及电动工具和无人机的功率控制电路。由于其优异的热性能和高电流承载能力，它也常用于汽车电子系统中的功率负载开关和电机控制电路。
在服务器和通信设备的VRM（电压调节模块）中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效能和紧凑型设计。在电池管理系统中，PSMN4R2-30MLDX 用于主控开关和均衡控制，确保系统的安全和稳定运行。
SiSSPM110P06T2-GE3, IPD90N03S4-03, BSC127N15NS5AG
