时间：2025/9/15 3:38:33
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PSMN4R2-30MLD 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效功率转换应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能。PSMN4R2-30MLD 采用高性能的TrenchMOS技术，确保了在高电流和高频率应用下的优异表现。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），这种封装提供了出色的功率密度和热管理能力，适用于汽车电子、电源管理和电机控制等领域。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：120A
连续漏极电流（Id）@100°C：75A
导通电阻（Rds(on)）@4.5V：4.2mΩ
导通电阻（Rds(on)）@2.5V：5.2mΩ
功耗（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN4R2-30MLD 具有多个显著的技术特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在4.5V栅极驱动电压下，Rds(on)仅为4.2mΩ，即使在2.5V下也仅上升到5.2mΩ，表明该器件在较低驱动电压下仍能保持良好的导通性能。
其次，该MOSFET采用先进的TrenchMOS工艺，使得器件在保持小尺寸的同时具备高电流处理能力。结合LFPAK56封装的高效散热特性，PSMN4R2-30MLD 能够在高负载条件下保持稳定工作温度，延长器件寿命。
此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，提升了抗静电能力和抗过压能力，适用于各种工业和汽车环境。
最后，PSMN4R2-30MLD 的封装不含铅，并符合RoHS环保标准，符合现代电子产品对环保的要求。
PSMN4R2-30MLD 主要用于需要高效率、高电流密度和良好热管理的功率电子系统。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关以及各种电源管理模块。在汽车电子领域，该器件广泛用于车载充电系统、启停系统、电动助力转向系统（EPS）等对可靠性和热性能要求较高的场合。
由于其低导通电阻和高电流能力，PSMN4R2-30MLD 也适用于高频率开关应用，如多相电源和服务器电源系统。其优异的热性能使其能够在高环境温度下稳定运行，适用于紧凑型高功率密度设计。
PSMN5R8-30LD, PSMN3R8-30MLC, PSMN4R8-30YLC
