时间：2025/5/13 10:19:57
阅读：22
PSMN4R1-60YL 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由 NXP Semiconductors 制造。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种开关和功率管理应用。其设计目标是提供高效的功率转换，并支持紧凑型解决方案。PSMN4R1-60YL 采用 LFPAK56 (PowerSO8) 封装形式，能够满足工业和消费类电子设备的需求。
这种 MOSFET 在功率放大器、负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路等领域有广泛应用，因其卓越的电气性能而备受推崇。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：37A
导通电阻（典型值）：4.1mΩ
栅极电荷：29nC
总功耗：14W
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：LFPAK56 (PowerSO8)
PSMN4R1-60YL 提供了非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了能力，使得在高频应用中表现出色，例如开关电源或电机驱动。
器件能够在较高的温度范围内运行，确保了在恶劣环境下的稳定性。
此外，其封装形式 LFPAK56 具备良好的热性能和电气性能，有助于进一步提升整体系统的可靠性。
此款 MOSFET 还具有较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损失并优化动态表现。
PSMN4R1-60YL 广泛应用于各种需要高效功率控制的场合。
常见的应用包括但不限于：
- DC-DC 转换器中的主开关元件
- 开关模式电源（SMPS）
- 负载开关和保护电路
- 电池管理系统（BMS）
- 电机驱动和控制
- 工业逆变器和可再生能源系统
由于其出色的性能和可靠性，该器件也适合用于汽车电子领域，例如电动助力转向（EPS）和混合动力汽车（HEV）系统中的功率转换模块。
PSMN4R0-60YL
PSMN4R6-60YL
IRFZ44N
FDP5500
