时间：2025/9/14 22:42:44
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PSMN4R0-40YS,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。PSMN4R0-40YS 具有低导通电阻（RDS(on)）的特点，可有效降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，具备优异的热性能和高可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：160A（最大值）
RDS(on)：4.0mΩ（最大值，典型值为 2.8mΩ）
导通阈值电压（VGS(th)）：2.0V 至 3.5V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
安装类型：表面贴装（SMD）
PSMN4R0-40YS,115 具有多个关键特性，使其在高性能功率转换应用中表现出色。首先，其极低的 RDS(on)（最大值为 4.0mΩ）显著降低了导通损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。其次，该器件采用 LFPAK56 封装，这是一种高性能的表面贴装封装，具有出色的热性能和机械稳定性，适用于高电流和高温环境。
此外，PSMN4R0-40YS 支持高达 160A 的漏极电流，能够满足高功率密度设计的需求。其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容标准 MOSFET 驱动器电路。该器件的导通阈值电压在 2.0V 至 3.5V 之间，能够在较低的栅极电压下实现完全导通，适用于低压控制应用。
该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力，确保在瞬态过电压条件下的稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于各种工业和汽车应用。LFPAK56 封装还具有优异的抗湿热性能，符合 AEC-Q101 汽车电子认证标准，适合用于汽车电源管理系统。
PSMN4R0-40YS,115 主要用于需要高效率和高电流能力的电源管理应用。例如，在同步整流 DC-DC 转换器中，该器件的低 RDS(on) 特性可显著降低导通损耗，提高转换效率。它也常用于负载开关电路，以实现对高功率负载的快速控制，例如服务器电源、电池管理系统和电机驱动器。
在汽车电子领域，PSMN4R0-40YS 可用于车载充电器、DC-DC 转换器和车身控制模块。由于其高可靠性和宽工作温度范围，该器件也适用于恶劣的工业环境，如工业自动化设备、电源模块和可再生能源系统中的逆变器和转换器电路。
此外，该 MOSFET 还可用于热插拔电路、电源管理单元（PMU）以及需要高电流开关能力的负载控制应用。
SiSS160DN-T1-GE3, IPP075N10N3 G, IPB075N10N3 G, SQJQ160EP-T1_GE3
