时间：2025/9/14 10:22:19
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PSMN3R9-25MLC,115 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的功率MOSFET晶体管，采用增强型技术，适用于高效率的功率转换应用。该器件采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能。PSMN3R9-25MLC,115 通常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景，其设计目标是提高系统效率并降低功耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
漏极电流（Id）：160A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：3.9mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±12V
功率耗散：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56 (也称为Power-SO8)
PSMN3R9-25MLC,115 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为3.9mΩ，这有助于显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用LFPAK56封装，具有优异的热管理能力，能够在高电流负载下保持稳定工作温度，确保长期可靠性。
该MOSFET具备高电流承载能力，额定漏极电流可达160A，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压为±12V，兼容常见的MOSFET驱动器，简化了电路设计和布局。同时，该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，工作温度范围从-55°C到175°C，适用于工业和汽车等严苛环境。
PSMN3R9-25MLC,115 还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬态过压和过流情况，提高系统的稳健性。此外，LFPAK56封装采用无引线设计，减少了寄生电感和电阻，提高了开关性能，使其适用于高频开关应用。
PSMN3R9-25MLC,115 广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流模块、负载开关、电机驱动和电池管理系统。在服务器电源、通信设备和工业自动化系统中，该MOSFET能够提供高效的功率转换，降低系统功耗并提升整体性能。
由于其优异的热管理和高电流能力，该器件也常用于电动汽车（EV）充电系统、车载DC-DC转换器和电池保护电路。此外，在高功率密度设计中，如多相降压转换器和并联MOSFET配置中，PSMN3R9-25MLC,115 也是理想的选择。
PSMN4R2-25YLC,12 | PSMN5R4-25YLC,115
