时间：2025/9/14 9:03:28
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PSMN3R5-80YSFX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，适用于高效率电源管理应用。该器件封装为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（@Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：140W
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN3R5-80YSFX 的核心优势在于其超低导通电阻（3.5mΩ），这使其在高电流应用中具备极低的导通损耗，从而提升整体能效。
该器件采用 LFPAK56 封装，具备优异的热性能和机械稳定性，有助于提高 PCB 布局的紧凑性。
其栅极设计支持快速开关操作，适用于高频开关电源应用，如同步整流器和 DC-DC 转换器。
此外，该 MOSFET 具备较高的雪崩能量承受能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。
PSMN3R5-80YSFX 还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的导通性能，适合工业级和汽车电子应用需求。
PSMN3R5-80YSFX 主要用于高性能电源系统，包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业自动化设备以及新能源汽车的功率模块。
其高电流能力和低导通损耗也使其成为服务器电源、电信设备和不间断电源（UPS）中的理想选择。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电机驱动和能量回收系统等应用。
由于其封装形式便于自动化贴装，也广泛用于需要高密度功率集成的电子产品中。
PSMN4R2-80YSF, PSMN2R2-80YSC, IPPB40R045C7AGATMA1
