时间：2025/9/15 3:27:03
阅读：17
PSMN3R5-80PS 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司推出的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 TrenchPlus 工艺技术，具备低导通电阻、高效率和高可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用高性能的封装设计，具有良好的散热性能和电气特性。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：80V
漏极电流(Id)：60A（Tc）
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（最大值）
栅极电荷(Qg)：75nC
功率耗散(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN3R5-80PS 具有以下显著特性：首先，其导通电阻非常低，最大值仅为 3.5mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用先进的 TrenchPlus 技术，使得在保持低导通电阻的同时，还具有优异的开关性能，从而减少开关损耗并提高整体能效。
此外，PSMN3R5-80PS 的栅极电荷较低，仅为 75nC，这意味着其在高频开关应用中具有更快的响应速度，适合用于高频 DC-DC 转换器和同步整流器等应用。该器件的最大漏极电流为 60A，支持高功率输出，适用于需要高电流驱动能力的负载开关和电机控制电路。
该器件的封装采用 PowerSO-10 标准，具有良好的散热能力和紧凑的设计，适合在空间受限的 PCB 布局中使用。此外，其额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适应各种严苛的工业和汽车应用环境。
PSMN3R5-80PS 广泛应用于多个高性能功率管理领域，特别是在需要高效能、低导通损耗和高可靠性的场合。常见应用包括：高性能 DC-DC 转换器、服务器和电信电源系统、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、汽车电子系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
在服务器和通信电源系统中，该器件可用于同步整流电路，提高整体电源转换效率。在电机控制应用中，由于其低 Rds(on) 和高电流能力，能够有效减少功率损耗并提升系统响应速度。此外，PSMN3R5-80PS 也常用于高功率密度的负载开关设计，如热插拔电路和智能功率分配系统，确保系统在高负载条件下的稳定运行。
Si7498DP-T1-GE3, IPB080N04NG4S, FDS8858
