PSMN3R4-30PL 时间：2025/9/15 3:07:38 阅读：7

PSMN3R4-30PL 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高效能电源转换和功率管理领域。该器件采用了先进的 Trench MOS 技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等多种应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：100A（在VGS=10V条件下）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.4mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：70nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：LFPAK56（Power-SO8兼容）
　　功率耗散（Ptot）：93W（在Tc=25°C下）

特性

PSMN3R4-30PL 具有以下显著特性：
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）仅为 3.4mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在高电流应用中，低 RDS(on) 能有效减少发热，提升系统稳定性。
　　其次，该 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，具有优异的热性能和机械可靠性。这种封装形式采用双面散热设计，有助于提高散热效率，特别适合高功率密度的设计需求。
　　此外，PSMN3R4-30PL 的最大漏极电流可达 100A，在 VGS=10V 条件下仍能保持稳定工作，适用于需要高电流能力的功率转换系统，如同步整流器和负载开关。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，具备良好的高温稳定性，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
　　PSMN3R4-30PL 的栅极电荷（Qg）较低，仅为 70nC，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的能效表现。
　　最后，该 MOSFET 具备较强的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过电压情况下的可靠性，提高了系统的安全性和耐用性。

应用

PSMN3R4-30PL 广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中。在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和优异的热性能使其成为同步整流器的理想选择，有助于提升转换效率并减小电源模块的体积。
　　在负载开关应用中，PSMN3R4-30PL 可用于控制高电流负载的通断，例如电源管理单元、热插拔电路以及电池供电设备中的电源切换控制。
　　该 MOSFET 还适用于电机驱动系统，尤其是在需要高电流驱动能力的直流电机或步进电机控制中，能够提供稳定的功率输出并减少发热。
　　此外，PSMN3R4-30PL 也广泛用于电池管理系统（BMS），在电池充放电控制、电池均衡电路中起到关键作用。
　　在工业自动化设备和服务器电源中，该器件的高可靠性和高温耐受能力确保了系统在连续运行中的稳定性。
　　汽车电子应用中，如车载充电器、DC-DC 转换器和车身控制模块，PSMN3R4-30PL 也能提供稳定可靠的功率控制性能。