时间：2025/9/14 21:45:29
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PSMN3R0-60BS 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高效率、高功率密度应用而设计，适用于广泛的电源管理场景，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等。PSMN3R0-60BS 采用先进的工艺技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，能够在高压高电流环境下稳定运行。
类型：功率 MOSFET
晶体管结构：N 沟道增强型
最大漏极电流（ID）：140A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：3.0mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：Power-SO8
PSMN3R0-60BS 具备一系列卓越的性能特点，使其在电源管理应用中表现出色。首先，该器件具有超低导通电阻（RDS(on)）值为 3.0mΩ，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，其最大漏极电流为 140A，表明它能够处理高电流负载，适用于大功率应用。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，支持在中高电压环境下运行。其栅源电压范围为 ±20V，确保了在多种驱动条件下的稳定操作。PSMN3R0-60BS 还采用了先进的封装技术，即 Power-SO8 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，同时节省了 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
此外，PSMN3R0-60BS 支持宽范围的工作温度（-55°C 至 +175°C），能够在极端环境下保持稳定性和可靠性。这种特性使其在工业、汽车和消费电子等多领域中都有广泛的应用前景。
PSMN3R0-60BS 广泛应用于多种电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。在 DC-DC 转换器中，该器件能够高效地进行能量转换，同时减少热量的产生。在负载开关应用中，PSMN3R0-60BS 可以快速切换高电流负载，确保系统的稳定性和安全性。此外，其高电流能力和良好的散热性能也使其非常适合用于电机控制，特别是在需要频繁启动和停止的场合。
在汽车电子领域，PSMN3R0-60BS 可用于车载充电系统、电动助力转向系统以及各种车载电源管理系统。其宽温度范围和高可靠性使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。在工业自动化和控制设备中，该 MOSFET 可用于驱动各种高功率负载，如继电器、电磁阀和执行器等。
SiR142DP-T1-GE3, FDS4410AS, IPB036N06N3GATMA1
