时间：2025/9/14 15:51:13
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PSMN2R9-30MLC,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性。该型号专为高效率电源管理应用设计，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制以及各类功率管理模块。其封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），提供出色的热性能和空间节省的封装设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 VDS：30 V
栅源电压 VGS：±20 V
最大连续漏极电流 ID：120 A（在 VGS=10V）
导通电阻 RDS(on)：2.9 mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
功率耗散 PD：140 W
PSMN2R9-30MLC,115 具备多项卓越特性，使其在高功率密度和高效率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻 RDS(on) 仅为 2.9 mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率并降低工作温度。其次，该器件采用先进的 Trench 技术，实现了高电流密度和稳定的开关性能，适合高频开关应用。此外，该 MOSFET 使用 LFPAK56 封装，这种封装形式具有优异的热传导性能，能够有效散热，同时具备较高的机械稳定性和焊接可靠性，适用于自动贴片和回流焊工艺。
该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动，兼容多种常见的驱动电路。其快速开关特性降低了开关损耗，有助于提升电源转换效率。PSMN2R9-30MLC,115 还具有较低的输入电容（CISS）和反向恢复电荷（QRR），进一步优化了高频开关性能。由于其出色的热稳定性与电流承载能力，该 MOSFET 在高负载条件下依然保持良好的性能表现，适用于要求苛刻的工业和汽车电子应用。
PSMN2R9-30MLC,115 主要用于高性能电源管理系统中。其典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电动工具、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、服务器电源和电信设备电源等。在汽车电子领域，该器件适用于车载充电器、电池管理系统、电动助力转向系统（EPS）等对功率密度和效率要求较高的应用。
由于其高电流能力和低导通电阻，该 MOSFET 也广泛用于高功率密度的多相电源系统中，如高端计算设备的 VRM（电压调节模块）和图形处理器（GPU）供电系统。此外，该器件还可用于高效率的太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及各种工业自动化控制设备中的功率开关模块。
PSMN3R8-30MLC,115, PSMN5R0-30MLC,115
