时间：2025/9/14 13:22:25
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PSMN2R8-25MLC,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。该器件封装为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），适用于需要高效能和小尺寸设计的电源管理系统。PSMN2R8-25MLC,115 特别适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：25V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：230A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：120W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
安装类型：表面贴装
PSMN2R8-25MLC,115 的最大导通电阻为 2.8mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。
其采用的 LFPAK56 封装技术提供了优异的热性能和机械稳定性，同时支持双面散热，有助于在高电流应用中保持较低的结温。
该 MOSFET 具有高电流承载能力和低热阻，使其在高温环境下仍能稳定运行。
PSMN2R8-25MLC,115 的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V，兼容多种常见的栅极驱动器设计，便于集成到不同系统中。
此外，该器件具有出色的雪崩能量耐受能力，增强了在电压瞬态条件下的可靠性。
PSMN2R8-25MLC,115 还具备低电容特性，有助于减少开关损耗并提高高频操作性能。
其封装设计符合 RoHS 标准，并具有良好的可焊性和抗热疲劳性能，适合高密度和高可靠性要求的电子产品。
PSMN2R8-25MLC,115 主要应用于高效 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块、服务器电源、电信设备电源、便携式电子设备以及汽车电子系统等。
由于其高效率和小尺寸特性，PSMN2R8-25MLC,115 特别适合用于空间受限且对热管理有高要求的电源设计。
该器件也可用于多相电源系统中，以实现更高的输出功率和更稳定的电压调节。
在汽车电子领域，PSMN2R8-25MLC,115 可用于车载充电器、DC-AC 逆变器、电动助力转向系统等应用场景。
此外，该 MOSFET 也广泛用于工业自动化设备、机器人控制系统以及高性能计算设备的电源管理部分。
PSMN3R0-25MLC,115; PSMN5R4-25YLC,115; PSMN2R8-25YL,115; NVTFS5C471NL; SiSS840DN
