时间：2025/9/14 9:47:39
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PSMN2R6-30YLC,115是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效功率管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。该MOSFET采用LFPAK56（Power-SO8）封装，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理等应用。PSMN2R6-30YLC,115在性能和可靠性方面表现出色，是许多工业和汽车电子系统中的常用元件。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：2.6mΩ（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：1.8V（最大值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN2R6-30YLC,115具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为2.6mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这使得该MOSFET在高电流应用中表现出色，如DC-DC转换器和电源管理系统。
其次，该器件的漏源电压额定值为30V，栅源电压为±20V，能够在较宽的电压范围内稳定运行。其栅极阈值电压较低，典型值为1.8V，适合用于逻辑电平驱动电路，从而简化了驱动电路的设计。
此外，PSMN2R6-30YLC,115采用了LFPAK56封装，这种封装形式具有良好的热管理能力，能够有效散热，提高器件的可靠性。与传统封装相比，LFPAK56在PCB布局上更加节省空间，适用于高密度设计。
该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适合在各种环境条件下使用，包括高温工业环境和汽车应用。其高可靠性和耐用性使其成为汽车电子系统中的重要组件，如电池管理系统和电机控制单元。
最后，PSMN2R6-30YLC,115符合RoHS标准，并具有无铅环保特性，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。
PSMN2R6-30YLC,115广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 电源管理系统：由于其低导通电阻和高电流能力，PSMN2R6-30YLC,115非常适合用于服务器、通信设备和工业控制系统的电源管理电路。
2. DC-DC转换器：该MOSFET在DC-DC降压或升压转换器中表现出色，能够有效降低能量损耗，提高转换效率。
3. 负载开关：在需要高电流开关能力的应用中，例如电池供电设备或电源分配系统，PSMN2R6-30YLC,115能够作为主开关器件使用。
4. 电机控制：该MOSFET可用于无刷直流电机驱动器和电机控制器，提供高效、稳定的功率输出。
5. 汽车电子：由于其高可靠性和宽工作温度范围，PSMN2R6-30YLC,115可用于汽车电池管理系统、车载充电器和电机控制模块。
6. 负载共享电路：在多电源系统中，该MOSFET可用于负载共享控制，确保各电源之间的电流均衡分配。
PSMN3R4-30YLC,115, PSMN2R8-30YLC,115, PSMN3R2-30YLC,115
