PSMN2R2-40BS 时间：2025/9/14 10:19:56 阅读：11

PSMN2R2-40BS 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种高功率开关和电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：120A
　　漏极-源极电压（VDS）：40V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：LFPAK56 (Power-SO8)

特性

PSMN2R2-40BS 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该 MOSFET 使用先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能，同时减少了开关损耗。
　　另一个显著特点是其高功率耗散能力，高达 200W，使得该器件能够在高功率密度应用中保持良好的热性能。其 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装不仅提供了优异的热管理性能，还具有较小的封装尺寸，非常适合空间受限的设计。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有较强的抗过压能力，确保在各种工作条件下稳定运行。此外，PSMN2R2-40BS 的工作温度范围较宽，从 -55°C 到 +175°C，能够在极端温度环境下保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子等要求较高的应用场景。
　　PSMN2R2-40BS 还具有较高的短路耐受能力，能够承受短时间的高电流冲击，增强了器件的可靠性。该 MOSFET 在设计上采用了优化的芯片布局，减少了寄生电感，从而降低了开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI），提高了系统稳定性。

应用

PSMN2R2-40BS 常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、逆变器以及汽车电子等高功率应用场景。由于其优异的导通性能和热管理能力，它非常适合用于高效率电源转换设备，如服务器电源、电信设备电源、工业自动化系统电源等。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及电动车辆的 DC-DC 转换器等应用。此外，它还适用于需要高可靠性和高效率的 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用。
　　由于其 LFPAK56 封装的紧凑设计和高功率处理能力，PSMN2R2-40BS 也适用于空间受限的高功率密度设计，如便携式电子设备的电源管理模块。