PSMN2R2-30YLC 时间：2025/9/15 3:28:15 阅读：15

PSMN2R2-30YLC是一款由Nexperia（原飞利浦半导体）制造的高性能N沟道增强型MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的Trench技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：160A（在25°C时）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ（典型值）
　　封装类型：LFPAK56（Power-SO8兼容）

特性

PSMN2R2-30YLC具有多项先进特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为2.2mΩ，这有助于减少导通损耗，提高能效。该MOSFET采用了Nexperia的先进Trench技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具备高电流承载能力和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
　　PSMN2R2-30YLC采用LFPAK56封装，这是一种坚固的无引脚封装技术，具有出色的焊接可靠性和优异的热管理能力。该封装还具备高机械强度，适合在振动和冲击环境中使用，尤其适合汽车应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平，便于与各种控制器配合使用。
　　该MOSFET还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。其栅极氧化层设计增强了器件的耐用性，使其在高频开关应用中表现出色。

应用

PSMN2R2-30YLC广泛应用于多个高功率领域，包括但不限于汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统）、高性能DC-DC转换器、服务器电源、工业电机驱动器以及负载开关控制电路。由于其低导通电阻和优异的热性能，它也非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。此外，该器件还可用于同步整流、功率因数校正（PFC）电路以及高功率密度电源模块设计。