类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压 VDS：30V
　　栅源电压 VGS：±20V
　　连续漏极电流 ID：220A（在Tc=25℃）
　　功耗 PD：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　导通电阻 RDS(on)：2.2mΩ（典型值）
　　栅极电荷 Qg：86nC（典型值）
　　封装形式：LFPAK56（Power-SO8兼容）

PSMN2R2-30YLC.115具有优异的导通性能和开关性能，得益于其先进的Trench MOSFET技术，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗。该器件的导通电阻RDS(on)仅为2.2mΩ，使得在高负载电流下功率损耗大大降低，从而提高整体系统效率。
　　此外，该MOSFET采用LFPAK56封装，具有优异的热管理能力，能够有效散发工作过程中产生的热量。这种封装形式也提供了良好的焊接可靠性和可检测性，非常适合用于汽车电子、工业电源和服务器电源等高可靠性要求的应用场景。
　　该器件的栅极电荷Qg为86nC，具备较快的开关速度，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。同时，其宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃）确保了在极端环境下的稳定运行，增强了器件的适应性和可靠性。
　　此外，PSMN2R2-30YLC.115具有较高的短路耐受能力，能够承受一定时间的短路故障电流，从而提高系统的安全性和容错能力。该特性使其在电机控制、电池管理系统（BMS）和电源分配系统中具有良好的应用前景。

PSMN2R2-30YLC.115广泛应用于各类高效率电源系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源以及汽车电子中的功率控制模块等。其高电流能力和低导通电阻特性使其在高功率密度设计中具有显著优势。

PSMN3R2-30YLC.115, PSMN2R8-30YLC.115