时间：2025/9/14 13:32:32
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PSMN2R2-25YLC,115 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高性能的电源管理系统，适用于广泛的工业、消费类电子以及汽车应用。该MOSFET采用先进的Trench技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能，同时具备高耐压能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等场景。该器件采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：25V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：90A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ（最大值，典型值为1.7mΩ）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（也称为Power-SO8）
功率耗散（Ptot）：120W
栅极电荷（Qg）：23nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1920pF（典型值）
PSMN2R2-25YLC,115 具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率，这对于高电流应用尤为重要。其次，该器件采用Nexperia的LFPAK56封装技术，这种封装具有优异的热管理和机械稳定性，能够在高负载条件下维持较低的工作温度，从而提升器件的可靠性和寿命。
此外，该MOSFET支持高达90A的连续漏极电流，适用于需要高电流承载能力的电源管理方案。其栅极驱动电压范围适中，通常在10V左右即可实现完全导通，与常见的驱动IC兼容性良好。器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体能效。
该MOSFET还具备宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），适用于各种恶劣环境下的应用，包括汽车电子系统。其高雪崩能量耐受能力确保在异常工作条件下也能保持稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
PSMN2R2-25YLC,115 广泛应用于多个高性能电源管理领域。首先，它适用于各类开关电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，能够在高频率下高效运行，降低能量损耗并提高系统稳定性。其次，该器件非常适合用于电池供电系统中的负载开关控制，例如在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中实现高效的电源管理。
在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET可用于驱动小型直流电机、继电器和电磁阀等负载，提供快速响应和可靠的开关性能。此外，它还可用于服务器和通信设备中的电源模块，满足高密度、高效率的供电需求。
由于其优异的热性能和高电流能力，该MOSFET也常被用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块（BCM）等。在这些应用中，器件能够在高温和振动等严苛环境中稳定工作，保障系统的可靠运行。
PSMN3R2-25YLC,115, PSMN2R0-25YLC,115
