时间：2025/9/14 1:56:29
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PSMN2R0-55YLHX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能功率MOSFET器件，属于Trench工艺的增强型N沟道场效应晶体管。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高效率和优良的热性能，适用于高功率密度和高开关频率的应用场景。PSMN2R0-55YLHX采用无铅环保封装，符合RoHS标准，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理系统、电池充电器和电机控制电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：55V
漏极电流（ID）：150A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：2.0mΩ（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V 至 4.0V
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：Power-SO8
PSMN2R0-55YLHX MOSFET具备多项先进特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为2.0mΩ，这可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用Trench沟槽技术，优化了电场分布，提高了击穿电压的稳定性。此外，PSMN2R0-55YLHX在高温下的性能表现优异，能够在175℃的工作温度下稳定运行，适合在恶劣环境中使用。
其栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，兼容多种驱动电路设计，增强了设计的灵活性。该MOSFET还具有良好的雪崩耐受能力，能够在短时间过压条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。
封装方面，PSMN2R0-55YLHX采用Power-SO8封装，尺寸紧凑，便于PCB布局，同时具有良好的散热性能，适合高功率密度的应用。该封装形式还支持自动化贴装，提高了生产效率和装配可靠性。
PSMN2R0-55YLHX广泛应用于多种电力电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于需要高效率和高功率密度的场合，例如服务器电源、通信设备电源、工业控制系统和新能源汽车中的功率模块。
此外，该MOSFET还可用于高频开关电源和逆变器系统，提供快速开关能力和低损耗表现，满足现代高效能电源系统的需求。
PSMN3R0-55YLC, PSMN2R2-55YLC, PSMN2R5-55YLC
