时间：2025/6/9 14:56:17
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PSMN2R0-30YLDX是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Nexperia（原飞利浦半导体）生产。该器件采用LFPAK88封装形式，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于多种开关应用场合，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等。
这款MOSFET在导通状态下能够提供极低的电阻值，从而减少能量损耗并提升系统效率。同时，其优化的封装设计确保了良好的散热性能和可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：61A
导通电阻：2mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：370pF
工作温度范围：-55℃至175℃
PSMN2R0-30YLDX拥有非常低的导通电阻，这使其非常适合需要高效能和低功耗的应用场景。此外，该器件还具备出色的热稳定性和耐受短路的能力。
它的LFPAK88封装是一种表面贴装技术，支持自动化装配流程，同时也保证了较低的寄生电感，这对于高频开关应用非常重要。
另外，此器件的工作结温范围宽广，从-55℃到175℃，这意味着它能够在极端环境条件下正常运行，进一步提高了系统的可靠性和耐用性。
该芯片主要应用于汽车电子领域中的各种电源管理方案，例如电池管理系统、启动停止系统、DC-DC转换器以及LED驱动等。
除此之外，它也适合工业控制设备中的负载切换、电机控制以及其他需要高性能功率开关的应用场合。
由于其低导通电阻和高效的特性，PSMN2R0-30YLDX还可以用于消费类电子产品中的适配器、充电器以及计算机外围设备等领域。
PSMN2R0-30YLHX, PSMN2R5-30YLDX, PSMN2R9-30YLD
