PSMN1R8-40YLC 时间：2025/9/15 4:30:39 阅读：13

PSMN1R8-40YLC 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的高性能功率 MOSFET，属于Trench肖特基二极管技术平台。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、同步整流器以及电源管理模块等场景。PSMN1R8-40YLC 采用先进的封装技术，具有优异的热管理和可靠性，适合在紧凑型电源系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏-源电压（VDS）：40V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：145nC
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)

特性

PSMN1R8-40YLC 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用Nexperia先进的Trench MOSFET技术，结合优化的硅结构设计，确保了快速的开关速度和低开关损耗，适用于高频电源转换系统。其封装形式LFPAK56具有出色的热传导性能，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度，提升整体系统的稳定性和寿命。
　　此外，PSMN1R8-40YLC 具备良好的抗雪崩能力，能够在突发短路或过载条件下提供更高的可靠性。其栅极氧化层设计确保在高dv/dt环境下仍能稳定工作，避免误触发或损坏。该器件的栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的功耗，提高电源系统的整体能效。同时，其宽广的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的工业和汽车电子应用。

应用

PSMN1R8-40YLC 主要用于高效能电源管理系统中，如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）以及电机驱动器等。由于其低导通电阻和优异的热管理能力，特别适合用于高电流、高效率要求的同步整流拓扑结构，如LLC谐振转换器、半桥和全桥拓扑。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及电池保护电路中，满足现代新能源汽车对高性能功率器件的需求。