时间：2025/9/14 10:46:41
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PSMN1R8-30PL,127 是由 NXP（恩智浦）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高功率密度的电源系统中。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，能够在高频率下稳定工作。其封装形式为 TO-220AB，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220AB
功率耗散（Ptot）：94W
栅极电荷（Qg）：120nC @ Vgs=10V
PSMN1R8-30PL,127 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用了先进的 Trench 技术，使得在相同芯片面积下实现了更高的电流承载能力和更低的开关损耗。此外，其高达 175°C 的工作温度上限使其适用于高温环境，增强了系统的可靠性和稳定性。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，其封装设计有助于快速散热，确保在大功率工作状态下的长期可靠性。其栅极驱动特性良好，适合与多种驱动电路配合使用，包括常见的 PWM 控制器和栅极驱动 IC。此外，PSMN1R8-30PL,127 的封装形式（TO-220AB）具有良好的机械强度和安装兼容性，适用于各种工业和汽车应用环境。
PSMN1R8-30PL,127 被广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中。常见的应用包括电源管理模块（如 DC-DC 转换器、同步整流器）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动汽车（EV）充电系统以及工业自动化控制设备。由于其优异的导通特性和高电流承载能力，特别适用于需要频繁开关操作和高效率转换的场合。此外，该器件在汽车电子系统中也常用于负载开关、电机控制以及车载充电系统等关键电路中。
PSMN2R0-30PL,127; PSMN1R5-30PL,127; PSMN1R8-30YLC,127; PSMN1R8-30PLC,127
