时间：2025/9/14 8:37:18
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PSMN1R8-30BL,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等。该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于降低功率损耗并提高系统效率。PSMN1R8-30BL,118 采用小型化的 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在空间受限的高功率密度设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（最大值，Vgs=10V）
功耗（Ptot）：120W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN1R8-30BL,118 具备多项优异的电气和热性能特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）仅为 1.8mΩ，显著降低了导通损耗，提高了能效。这对于需要高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统尤为重要。
其次，该 MOSFET 支持高达 140A 的连续漏极电流，具有出色的电流处理能力，适用于高功率负载开关和电机驱动应用。此外，LFPAK56 封装提供了优异的热管理性能，使器件能够在高温环境下稳定运行，并减少对额外散热片的需求。
其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 20V，兼容多种驱动电路，包括常见的 5V 和 12V 控制系统。该器件的雪崩能量等级高，具备良好的抗短路和过载能力，提高了系统的可靠性和耐用性。
PSMN1R8-30BL,118 的封装设计也极具优势。LFPAK56 是一种无引脚的表面贴装封装，具有更低的封装电阻和电感，提高了高频性能，并且便于自动化生产，适用于高密度 PCB 设计。同时，该封装支持双面散热，进一步提升了热性能。
此外，该 MOSFET 在极端温度条件下仍能保持稳定工作，适用于汽车电子、工业控制和通信设备等严苛环境下的应用。
PSMN1R8-30BL,118 广泛应用于多个高功率密度和高效率需求的电子系统中。在电源管理领域，它常用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关，以提升转换效率并减小电源体积。在电动汽车和混合动力汽车中，该器件可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器和电机控制器等关键模块。工业自动化设备中，如伺服驱动器、PLC 控制系统和变频器，PSMN1R8-30BL,118 可作为高电流开关使用，确保稳定可靠的运行。此外，它也适用于服务器电源、通信设备电源模块以及太阳能逆变器等高功率应用场合。
SiSS140DN-T1-GE3, Nexperia PSMN1R8-30YLH,118, Infineon BSC018N03MSG
