时间：2025/9/15 0:50:08
阅读：13
PSMN1R7-30YL 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于高效率电源管理应用。PSMN1R7-30YL 通常采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，具有较高的功率密度和良好的散热能力，适用于汽车电子、工业控制、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：140A（在 25°C 下）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.7mΩ（典型值，@ VGS = 10V）
功率耗散（Ptot）：120W（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN1R7-30YL 具备多项优良特性，适用于高要求的功率管理应用。
首先，其导通电阻仅为 1.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这一低 RDS(on) 特性使其在高电流应用中表现尤为出色，例如在大功率 DC-DC 转换器和电机驱动电路中。
其次，该 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，具有优异的热性能和机械稳定性。该封装结构有助于提高器件的散热能力，降低热阻，从而在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，LFPAK56 封装具有双面散热能力，可进一步优化热管理和 PCB 布局。
再者，PSMN1R7-30YL 的最大漏极电流可达 140A，在高温环境下也能维持较高的电流承载能力，适用于高功率密度设计。其最大漏源电压为 30V，适用于 12V、24V 等低压电源系统，广泛用于汽车电子和工业控制领域。
该器件还具备高可靠性和长寿命，符合 AEC-Q101 汽车电子标准，适合在恶劣环境下运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应各种极端环境条件。
最后，PSMN1R7-30YL 具有快速开关能力，降低了开关损耗，提高了系统响应速度。这使其在高频开关应用（如同步整流器和负载开关）中具有显著优势。
PSMN1R7-30YL 主要应用于高功率密度和高效能的电子系统中。
在汽车电子领域，该器件常用于电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器等。其 AEC-Q101 认证确保了其在严苛汽车环境下的稳定性和可靠性。
在工业控制方面，PSMN1R7-30YL 可用于伺服电机驱动、PLC（可编程逻辑控制器）电源管理、工业自动化设备中的负载开关以及高效率电源模块。
此外，该器件适用于服务器电源、通信设备电源、嵌入式系统和高功率 USB PD 充电解决方案。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率同步整流器和热插拔电源管理的理想选择。
由于其封装具有良好的热性能，PSMN1R7-30YL 还常用于空间受限的设计中，如便携式电源设备和高密度功率模块。
[
"PSMN2R0-30LD",
"PSMN1R8-30PL",
"BSC126N06LS5",
"IPB016N04N3",
"SiR142DP"
]
