时间：2025/4/27 13:32:09
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PSMN1R7-30YL,115 是一款来自 NXP（恩智浦）的功率 MOSFET，采用 Trench 技术制造。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动以及负载开关等领域。
该型号属于 PSMN 系列，适用于需要高效能和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：115A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极电荷（典型值）：49nC
总功耗：26W
结温范围：-55℃ 至 175℃
PSMN1R7-30YL,115 具有非常低的导通电阻 (RDS(on))，这使其在高电流应用中表现出色，能够显著降低传导损耗。
同时，该器件具备较高的雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣环境下保持可靠工作。
此外，其快速开关特性和较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，从而提升整体系统效率。
封装形式为 LFPAK88-8，这是一种节省空间且散热性能良好的表面贴装封装。
该功率 MOSFET 适合多种工业与消费电子领域，例如：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流电路。
2. 直流无刷电机 (BLDC) 驱动器中的功率级控制。
3. 电信设备中的负载切换功能。
4. 工业自动化设备中的电磁阀驱动。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
PSMN1R0-30YL,IRL3803TRPBF,AON6218
